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FDD6035AL-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电气性能和稳定的工作表现，适用于多种高要求电路设计。主要参数包括：最大漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ，有效降低导通损耗并提升整体效率。器件采用标准封装形式，具备良好的散热能力与可靠性，适用于电源转换、电机控制、储能系统及精密电子设备中的高频开关应用，满足多样化场景的技术需求。
- 商品型号
- FDD6035AL-HXY
- 商品编号
- C48972147
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
DMNH3010LK3-13采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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