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DMP2070UQ-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的电性能与稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其主要参数为：漏极电流ID为5A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为35mΩ，能够在较宽的工作范围内保持稳定表现。该器件结构紧凑，具备快速开关响应能力和较高的热稳定性，适合用于直流电源管理、便携式电子设备、负载切换控制及各类高效能转换电路中的应用需求。
- 商品型号
- DMP2070UQ-7-HXY
- 商品编号
- C48972148
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品概述
XP264N0301TR-G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 0.3 A
- RDS(ON) < 2 Ω @ VGS = 10 V
- 静电放电等级：HBM ≥ 2000 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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