温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3010LK3-13-HXY
耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，适用于多种功率控制场景。其导通电阻（RDON）仅为7.5mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理模块、电机控制电路、开关电源及各类中高功率电子设备，为高效能、高可靠性的电路设计方案提供有力支持。
- 商品型号
- DMN3010LK3-13-HXY
- 商品编号
- C48972145
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
IPD380P06NMATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -30A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 33mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐
- DMNH3010LK3-13-HXY
- FDD6035AL-HXY
- DMP2070UQ-7-HXY
- SI3415-HXY
- DMP2070U-7-HXY
- SM6362D1RL-HXY
- CSD17552Q5A-HXY
- BSC057N03LSG-HXY
- BSZ120P03NS3GATMA1-HXY
- NTA4151PT1G-HXY
- CMUDM8005-HXY
- SI4435DDY-T1-E3-HXY
- BSO200P03S-HXY
- NDS8435A-HXY
- DMT4008LFV-7-HXY
- DMTH48M3SFVW-13-HXY
- NTTFS008N04CTAG-HXY
- DMTH48M3SFVW-7-HXY
- DMTH48M3SFVWQ-7-HXY
- DMTH47M2LFVW-7-HXY
- DMTH47M2LFVWQ-7-HXY