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DMNH3010LK3-13-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与开关特性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：漏极电流ID为50A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、高精度控制电路及负载开关等多种应用场合，是高性能电子设计的理想选择。
- 商品型号
- DMNH3010LK3-13-HXY
- 商品编号
- C48972146
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
DMP2070UQ-7采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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