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BUK6209-30C-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备低导通电阻特性，典型值为7.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。其漏极连续电流能力达50A，漏源击穿电压为30V，适用于多种中功率应用场景。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、电机控制、开关电路及各类嵌入式电子系统中，为电路设计提供高效且稳定的性能支持。
- 商品型号
- BUK6209-30C-HXY
- 商品编号
- C48972144
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384848克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CSD17552Q5A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 50 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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