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NP36P06SLG-E1-AY-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率应用需求。其导通电阻（RDON）仅为29毫欧，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。器件适用于各类电源管理系统，如直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路及同步整流电路。得益于P沟道设计，该MOSFET在上桥臂开关应用中驱动简单、响应迅速，广泛用于通信设备、智能家居控制模块及高性能消费类电子产品中。
- 商品型号
- NP36P06SLG-E1-AY-HXY
- 商品编号
- C48972140
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
DNP36P06SLG-E1-AY采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -30A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 33mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
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