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NP36P06SLG-E1-AY-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率应用需求。其导通电阻（RDON）仅为29毫欧，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。器件适用于各类电源管理系统，如直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路及同步整流电路。得益于P沟道设计，该MOSFET在上桥臂开关应用中驱动简单、响应迅速，广泛用于通信设备、智能家居控制模块及高性能消费类电子产品中。
- 商品型号
- NP36P06SLG-E1-AY-HXY
- 商品编号
- C48972140
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
SI4835DDY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -11A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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