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DMPH6023SK3-13-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和30A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至29毫欧，可显著降低功率损耗并提升系统效率。器件结构优化，具备良好的热稳定性和开关特性，适用于多种电源管理与转换场景。主要应用包括同步整流、直流电源开关控制、电池管理系统及高效能负载开关电路。其P沟道设计简化了驱动电路，广泛用于通信设备、智能家电、便携式电子产品等对效率与空间有要求的应用场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMPH6023SK3-13-HXY
商品编号: C48972141
商品封装: TO-252-2L(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数

DMPH6023SK3Q - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。