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RD3L03BATTL1-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的最大漏极电流（ID），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至29毫欧，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等各类通用电子应用。其封装形式便于安装与散热，可满足多种电路设计需求。
- 商品型号
- RD3L03BATTL1-HXY
- 商品编号
- C48972142
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
DMG1016UDWQ-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 0.75A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 380mΩ
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -0.66A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 570mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- SOT-363封装
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET
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