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XP262N7002TR-G-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过0.3A的漏极电流（ID），导通电阻为1000mΩ（RDON），适用于对功率要求适中的电路设计。该器件常用于小型电源模块、电池供电设备及信号切换电路中，具有良好的开关特性和稳定性，适合多种通用电子产品的应用需求。
- 商品型号
- XP262N7002TR-G-HXY
- 商品编号
- C48972134
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027895克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
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