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IPD380P06NMATMA1-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- P沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源耐压（VDSS）与30A连续漏极电流（ID）能力，适用于多种中高功率电源管理应用。其导通电阻（RDON）低至29mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件采用P沟道结构，常用于直流电源转换、负载开关控制、电池管理系统及电机驱动电路。凭借良好的电气性能和稳定性，适用于通信设备、消费类电子产品及智能家电中的电源模块设计。
- 商品型号
- IPD380P06NMATMA1-HXY
- 商品编号
- C48972138
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
SM409T9RL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -30A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 33mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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