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CWDM3011P-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和11A连续漏极电流（ID）能力，适用于中等功率开关应用。其导通电阻（RDON）低至13毫欧，有助于减少导通损耗，提高能效。器件具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于电源转换器、电池管理系统、消费类电子产品及各类通用负载控制电路中的功率开关元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CWDM3011P-HXY
商品编号: C48972132
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.126克(g)

商品参数

SIR882BDP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。