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SQ4435EY-T1_BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最高11A的连续漏极电流（ID），导通电阻仅为13mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装，适用于各类电源管理及开关电路，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景，具备良好的热稳定性和耐用性，能够满足多种通用电子设备对功率控制与能效优化的需求。
- 商品型号
- SQ4435EY-T1_BE3-HXY
- 商品编号
- C48972133
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
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