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SQ4435EY-T1_BE3-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最高11A的连续漏极电流（ID），导通电阻仅为13mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装，适用于各类电源管理及开关电路，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景，具备良好的热稳定性和耐用性，能够满足多种通用电子设备对功率控制与能效优化的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQ4435EY-T1_BE3-HXY
商品编号: C48972133
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.127克(g)

商品参数

IRF9332TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。