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XP264N0301TR-G-HXY

N沟道耐压:60V 电流:300mA

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过0.3A的漏极电流（ID），导通电阻为1000mΩ（RDON），适用于中低功率电路设计。该器件常用于小型电源适配器、电池管理系统、LED驱动电路以及各类消费类电子产品中的开关控制与功率调节场合，具备良好的热稳定性和响应速度，能够满足多样化电子设备对能效与性能的基本要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: XP264N0301TR-G-HXY
商品编号: C48972135
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0275克(g)

商品参数

DMPH6023SK3 - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。