XP264N0301TR-G-HXY

N沟道 耐压:60V 电流:300mA

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过0.3A的漏极电流（ID），导通电阻为1000mΩ（RDON），适用于中低功率电路设计。该器件常用于小型电源适配器、电池管理系统、LED驱动电路以及各类消费类电子产品中的开关控制与功率调节场合，具备良好的热稳定性和响应速度，能够满足多样化电子设备对能效与性能的基本要求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

XP264N0301TR-G-HXY

商品编号

C48972135

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0275克(g)