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STD35P6LLF6-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: P沟道场效应管（MOSFET），具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率应用。导通电阻（RDON）低至29mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用P沟道结构，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及各类直流电机控制电路。凭借其优异的电气性能与稳定的工作表现，可广泛应用于通信设备、消费电子及智能家电等领域的电源转换模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD35P6LLF6-HXY
商品编号: C48972136
商品封装: TO-252-2L(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.383838克(g)

商品参数

DMTH10H010LPS-13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。