STD35P6LLF6-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

P沟道场效应管（MOSFET），具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率应用。导通电阻（RDON）低至29mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用P沟道结构，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及各类直流电机控制电路。凭借其优异的电气性能与稳定的工作表现，可广泛应用于通信设备、消费电子及智能家电等领域的电源转换模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD35P6LLF6-HXY

商品编号

C48972136

商品封装

TO-252-2L(DPAK)​

包装方式

编带

商品毛重

0.383838克(g)