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UPA2738GR-E1-AX-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源耐压（VDSS），可在较高功率应用场景中稳定工作。其导通电阻（RDON）仅为13毫欧，有效减小导通损耗，提升整体能效。器件采用P沟道结构，适用于各类中低电压功率控制电路，如电源适配器、充电管理模块、便携式电子设备及家用电器中的开关电源与负载驱动电路。
- 商品型号
- UPA2738GR-E1-AX-HXY
- 商品编号
- C48972131
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
UPA2738GR-E1-AX采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -11A
- RDS(ON) < 16 mΩ(VGS = 10 V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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