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UPA2738GR-E1-AX-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源耐压（VDSS），可在较高功率应用场景中稳定工作。其导通电阻（RDON）仅为13毫欧，有效减小导通损耗，提升整体能效。器件采用P沟道结构，适用于各类中低电压功率控制电路，如电源适配器、充电管理模块、便携式电子设备及家用电器中的开关电源与负载驱动电路。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: UPA2738GR-E1-AX-HXY
商品编号: C48972131
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.127克(g)

商品参数

FDS4885C采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。