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DMG1016UDWQ-7-HXY

双N+P沟道增强型MOSFET

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描述: 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ。该器件适用于需要高效开关与信号控制的电路设计，可广泛用于电源管理、逻辑切换及小型电子设备中的功率调节单元。其低导通电阻特性有助于降低能耗并提升系统效率，是一款适用于多样化电子产品的基础半导体元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMG1016UDWQ-7-HXY
商品编号: C48972122
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0255克(g)

商品参数

DNP36P06SLG-E1-AY采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。