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IRF9332TRPBF-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源耐压（VDSS），支持11A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至13毫欧，有效降低导通损耗并提升系统效率。器件具备良好的开关特性和热稳定性，适用于各类中低功率电源管理系统、电池供电设备及便携式电子产品中的功率控制与电能转换应用，为电路设计提供高效、可靠的支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF9332TRPBF-HXY
商品编号: C48972129
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.126克(g)

商品参数

CWDM3011P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。