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IRF9332TRPBF-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源耐压（VDSS），支持11A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至13毫欧，有效降低导通损耗并提升系统效率。器件具备良好的开关特性和热稳定性，适用于各类中低功率电源管理系统、电池供电设备及便携式电子产品中的功率控制与电能转换应用，为电路设计提供高效、可靠的支持。
- 商品型号
- IRF9332TRPBF-HXY
- 商品编号
- C48972129
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRF9332TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V
- 漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源-P沟道MOSFET
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