温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS4885C-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7.2A持续漏极电流和40V漏源电压能力，适用于中低功率电源管理应用。导通电阻为23mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件集成N沟道与P沟道结构，支持双向功率控制，适合用于H桥驱动、直流电机控制及电源切换电路。其双沟道特性提供更灵活的栅极驱动方式，适用于便携式电子设备、智能家电及小型电源模块中的高效功率调节需求。
- 商品型号
- FDS4885C-HXY
- 商品编号
- C48972127
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12551克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
FDS4885C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 7.2A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 26mΩ
- VDS = -40V,ID = 6.5A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 44mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- SI4835DDY-T1-E3-HXY
- IRF9332TRPBF-HXY
- SI4413CDY-T1-GE3-HXY
- UPA2738GR-E1-AX-HXY
- CWDM3011P-HXY
- SQ4435EY-T1_BE3-HXY
- XP262N7002TR-G-HXY
- XP264N0301TR-G-HXY
- STD35P6LLF6-HXY
- SM409T9RL-HXY
- IPD380P06NMATMA1-HXY
- DMPH6023SK3Q-13-HXY
- NP36P06SLG-E1-AY-HXY
- DMPH6023SK3-13-HXY
- RD3L03BATTL1-HXY
- SQD100N03-3M4_GE3-HXY
- BUK6209-30C-HXY
- DMN3010LK3-13-HXY
- DMNH3010LK3-13-HXY
- FDD6035AL-HXY
- DMP2070UQ-7-HXY