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FDS4885C-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7.2A持续漏极电流和40V漏源电压能力，适用于中低功率电源管理应用。导通电阻为23mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件集成N沟道与P沟道结构，支持双向功率控制，适合用于H桥驱动、直流电机控制及电源切换电路。其双沟道特性提供更灵活的栅极驱动方式，适用于便携式电子设备、智能家电及小型电源模块中的高效功率调节需求。
- 商品型号
- FDS4885C-HXY
- 商品编号
- C48972127
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12551克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
SIR106DP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V
- 漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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