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SI4835DDY-T1-E3-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为13毫欧，表现出优异的导通性能与较低的功率损耗。器件采用成熟工艺制造，确保稳定的开关特性和良好的热响应，适用于各类中低功率电源转换、负载开关及电池供电设备中的功率控制环节，为电路提供高效、可靠的解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4835DDY-T1-E3-HXY
商品编号: C48972128
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.126531克(g)

商品参数

UPA2738GR-E1-AX采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。