温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4835DDY-T1-E3-HXY
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为13毫欧，表现出优异的导通性能与较低的功率损耗。器件采用成熟工艺制造，确保稳定的开关特性和良好的热响应，适用于各类中低功率电源转换、负载开关及电池供电设备中的功率控制环节，为电路提供高效、可靠的解决方案。
- 商品型号
- SI4835DDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C48972128
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126531克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SI4835DDY-T1-E3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -11A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- IRF9332TRPBF-HXY
- SI4413CDY-T1-GE3-HXY
- UPA2738GR-E1-AX-HXY
- CWDM3011P-HXY
- SQ4435EY-T1_BE3-HXY
- XP262N7002TR-G-HXY
- XP264N0301TR-G-HXY
- STD35P6LLF6-HXY
- SM409T9RL-HXY
- IPD380P06NMATMA1-HXY
- DMPH6023SK3Q-13-HXY
- NP36P06SLG-E1-AY-HXY
- DMPH6023SK3-13-HXY
- RD3L03BATTL1-HXY
- SQD100N03-3M4_GE3-HXY
- BUK6209-30C-HXY
- DMN3010LK3-13-HXY
- DMNH3010LK3-13-HXY
- FDD6035AL-HXY
- DMP2070UQ-7-HXY
- SI3415-HXY