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DMC2710UDWQ-13-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ。该器件适用于需要高效开关与信号控制的电路设计，可广泛用于电源管理、逻辑切换及小型电子设备中的功率调节单元。其低导通电阻特性有助于降低能耗并提升系统效率，是一款适用于多样化电子产品的基础半导体元件。
- 商品型号
- DMC2710UDWQ-13-HXY
- 商品编号
- C48972123
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF；79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF；9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF；13pF |
商品概述
STD35P6LLF6采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -30A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 33mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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