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FDS4935A-HXY
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为11A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ。该器件具备较高的电流承载能力与较低的导通损耗，适用于需要高效功率控制与稳定性能的电路设计。可应用于便携式电源系统、消费类电子设备中的开关电源及电机驱动模块。其双P沟道结构支持同步整流与负载切换功能，有助于提升整体电路效率并简化外围设计，是一款适用于多种功率场景的基础型半导体器件。
- 商品型号
- FDS4935A-HXY
- 商品编号
- C48972124
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126531克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
FDS4935A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
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