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FDS4935A-HXY
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为11A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ。该器件具备较高的电流承载能力与较低的导通损耗，适用于需要高效功率控制与稳定性能的电路设计。可应用于便携式电源系统、消费类电子设备中的开关电源及电机驱动模块。其双P沟道结构支持同步整流与负载切换功能，有助于提升整体电路效率并简化外围设计，是一款适用于多种功率场景的基础型半导体器件。
- 商品型号
- FDS4935A-HXY
- 商品编号
- C48972124
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126531克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
FDS4935A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -8.5A
- RDS(ON) < 18mΩ（在VGS = -10V时）
- RDS(ON) < 28mΩ（在VGS = -4.5V时）
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOP - 8封装
- 双P沟道MOSFET
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