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SH8J65TB1-HXY

双P沟道增强型MOSFET

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描述: 本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达11A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于需要高效能功率控制的各类场景，能够稳定运行在多种负载条件下。其P沟道结构设计使其在电路中常用于高边开关或同步整流应用，提供可靠的操作性能和良好的热稳定性，适合于电源管理、电池供电设备及小型电子装置中的功率切换与调节需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SH8J65TB1-HXY
商品编号: C48972125
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.126克(g)

商品参数

AUIRF7319QTR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。