SH8J65TB1-HXY

双P沟道增强型MOSFET

描述

本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达11A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于需要高效能功率控制的各类场景，能够稳定运行在多种负载条件下。其P沟道结构设计使其在电路中常用于高边开关或同步整流应用，提供可靠的操作性能和良好的热稳定性，适合于电源管理、电池供电设备及小型电子装置中的功率切换与调节需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SH8J65TB1-HXY

商品编号

C48972125

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.126克(g)