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SH8J65TB1-HXY
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达11A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于需要高效能功率控制的各类场景，能够稳定运行在多种负载条件下。其P沟道结构设计使其在电路中常用于高边开关或同步整流应用，提供可靠的操作性能和良好的热稳定性，适合于电源管理、电池供电设备及小型电子装置中的功率切换与调节需求。
- 商品型号
- SH8J65TB1-HXY
- 商品编号
- C48972125
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SH8J65TB1采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V,漏极电流ID = - 11A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
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