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SH8J66TB1-HXY
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），具备11A的持续漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于中功率电源转换场景。导通电阻低至14mΩ，可有效减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用双P沟道设计，适合用于高边开关、负载切换及同步整流电路中，提供良好的热稳定性和操作可靠性。其封装形式便于散热与集成，广泛应用于各类便携式设备、电源适配器及智能控制电路中的功率调节环节。
- 商品型号
- SH8J66TB1-HXY
- 商品编号
- C48972126
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SH8J66TB1采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -11A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 18mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 27mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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