温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK7208-40B-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON为7.7mΩ。该器件适用于多种中低压功率控制场景，如电源转换模块、电机驱动电路、电池管理系统及开关电源等。其较低的导通电阻有助于降低能量损耗，提高系统效率。同时具备良好的热稳定性和快速响应能力，能够满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- BUK7208-40B-HXY
- 商品编号
- C48972120
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
FDS4935A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- DMG1016UDW-7-HXY
- DMG1016UDWQ-7-HXY
- DMC2710UDWQ-13-HXY
- FDS4935A-HXY
- SH8J65TB1-HXY
- SH8J66TB1-HXY
- FDS4885C-HXY
- SI4835DDY-T1-E3-HXY
- IRF9332TRPBF-HXY
- SI4413CDY-T1-GE3-HXY
- UPA2738GR-E1-AX-HXY
- CWDM3011P-HXY
- SQ4435EY-T1_BE3-HXY
- XP262N7002TR-G-HXY
- XP264N0301TR-G-HXY
- STD35P6LLF6-HXY
- SM409T9RL-HXY
- IPD380P06NMATMA1-HXY
- DMPH6023SK3Q-13-HXY
- NP36P06SLG-E1-AY-HXY
- DMPH6023SK3-13-HXY