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DMG1016UDW-7-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N+P沟道场效应管（MOSFET）采用复合沟道设计，适用于多种中低功率电子应用。其参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ，具备良好的开关特性和电流控制能力。该器件适合用于便携式设备、电池管理系统、信号切换电路及各类消费类电子产品中的电源管理与功率调节单元，支持高效能与小型化设计需求。
- 商品型号
- DMG1016UDW-7-HXY
- 商品编号
- C48972121
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
DMG1016UDW - 7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 0.75A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 380mΩ
- VDS = -20V,ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 570mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- SOT - 363
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET
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