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IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY

N沟道耐压:100V 电流:75A

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）和100V的漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为6.4mΩ，适用于多种功率控制与电源管理场景。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性与开关特性，可广泛用于高效电源转换、电机驱动、储能管理及电子设备中的高频开关电路设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升系统整体能效。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY
商品编号: C48972116
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

DMT10H009SPS-13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。