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DMTH10H010LPS-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ，具备优异的电性能和稳定性。该器件适用于各类中高功率电源管理系统，如DC-DC转换器、电池管理电路、电机控制模块及高效能开关电源。其低导通电阻可有效降低导通损耗，提升系统效率，同时支持高频工作，满足对功率密度与能效有较高要求的应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH10H010LPS-13-HXY
商品编号: C48972117
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

SH8J65TB1采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。