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FDMS86103L-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与耐压能力，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效支持大电流工作并降低功率损耗。器件采用成熟稳定的制造工艺，具备良好的热管理特性与长期可靠性，可广泛应用于开关电源、同步整流电路、DC-DC转换及高密度电源模块等设计中，满足对效率与性能有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- FDMS86103L-HXY
- 商品编号
- C48972110
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
NTMFS10N7D2C采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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