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DMT10H010LPS-13-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电性能和高可靠性，适用于多种功率电子系统。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，能够支持较高功率密度的设计需求；导通电阻RDON低至6.4mΩ，显著降低导通损耗并提高能效。器件采用先进工艺制造，具有良好的热稳定性和耐用性，适合应用于电源管理、开关电源、电机控制及储能设备等对性能要求较高的电路环境中，满足多样化电子系统的实际需求。
- 商品型号
- DMT10H010LPS-13-HXY
- 商品编号
- C48972114
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
BSC070N10LS5ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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