温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT10H009LPS-13-HXY
N沟道 耐压:100V 电流:75A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ，适用于需要高效能功率管理的各类场景。该器件采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源转换、电机控制、储能系统以及精密电子设备中的开关电路设计。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高整体系统效率。
- 商品型号
- DMT10H009LPS-13-HXY
- 商品编号
- C48972115
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
- SIR106DP-T1-RE3-HXY
- DMG1016UDW-7-HXY
- DMG1016UDWQ-7-HXY
- DMC2710UDWQ-13-HXY
- FDS4935A-HXY
- FDS4885C-HXY
- IRF9332TRPBF-HXY
- XP262N7002TR-G-HXY
- SM409T9RL-HXY
- IPD380P06NMATMA1-HXY
- DMPH6023SK3Q-13-HXY
- DMPH6023SK3-13-HXY
- RD3L03BATTL1-HXY
- DMN3010LK3-13-HXY
- FDD6035AL-HXY
- DMP2070UQ-7-HXY
- SI3415-HXY
- DMP2070U-7-HXY
- SM6362D1RL-HXY
- BSZ120P03NS3GATMA1-HXY
- NTA4151PT1G-HXY
- SIR106DP-T1-RE3-HXY
- DMG1016UDW-7-HXY
- DMG1016UDWQ-7-HXY
- DMC2710UDWQ-13-HXY
- FDS4935A-HXY
- FDS4885C-HXY
- IRF9332TRPBF-HXY
- XP262N7002TR-G-HXY
- SM409T9RL-HXY
- IPD380P06NMATMA1-HXY
- DMPH6023SK3Q-13-HXY
- DMPH6023SK3-13-HXY
- RD3L03BATTL1-HXY
- DMN3010LK3-13-HXY
- FDD6035AL-HXY
- DMP2070UQ-7-HXY
- SI3415-HXY
- DMP2070U-7-HXY
- SM6362D1RL-HXY
- BSZ120P03NS3GATMA1-HXY
- NTA4151PT1G-HXY