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DMT10H009LPS-13-HXY

N沟道耐压:100V 电流:75A

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ，适用于需要高效能功率管理的各类场景。该器件采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源转换、电机控制、储能系统以及精密电子设备中的开关电路设计。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高整体系统效率。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT10H009LPS-13-HXY
商品编号: C48972115
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

SH8MA3TB1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。