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DMT10H009SPS-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力和优异的导通特性。其主要参数包括：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为100V，导通电阻RDON仅为6.4mΩ，可有效减少导通损耗并提升整体效率。该器件适用于各类高效电源系统，如开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路以及高密度电源模块等，能够满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT10H009SPS-13-HXY
商品编号: C48972111
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

DMT10H010LPS-13采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。