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DMT10H009SPS-13-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力和优异的导通特性。其主要参数包括：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为100V，导通电阻RDON仅为6.4mΩ，可有效减少导通损耗并提升整体效率。该器件适用于各类高效电源系统，如开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路以及高密度电源模块等，能够满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- DMT10H009SPS-13-HXY
- 商品编号
- C48972111
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
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