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AUIRF7319QTR-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）为N+P沟道组合型器件，具备7A连续漏极电流（ID）与30V漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电源转换与开关控制应用。导通电阻（RDON）低至25mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件支持同步整流与双向开关功能，适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信设备中的高效电源管理模块。
- 商品型号
- AUIRF7319QTR-HXY
- 商品编号
- C48972105
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.024nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
IAUC90N10S5N062ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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