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FDMS86182-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大漏极电流ID和100V的漏源电压VDSS，适用于中高功率电源转换与控制应用。导通电阻RDON低至6.4mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。器件采用优化的芯片设计与封装结构，具备良好的热稳定性与耐久性，支持高频开关操作。适用于各类高效能电源设备、电机驱动电路及储能管理系统等应用场景。
- 商品型号
- FDMS86182-HXY
- 商品编号
- C48972108
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
FDMS86182采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
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