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FDMS86182-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大漏极电流ID和100V的漏源电压VDSS，适用于中高功率电源转换与控制应用。导通电阻RDON低至6.4mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。器件采用优化的芯片设计与封装结构，具备良好的热稳定性与耐久性，支持高频开关操作。适用于各类高效能电源设备、电机驱动电路及储能管理系统等应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDMS86182-HXY
商品编号: C48972108
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

ZXMC3A16DN8QTA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。