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NTMFS10N7D2C-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于高性能电源管理、同步整流、DC-DC转换器及负载开关等场景，满足对功率密度与能效双重要求的设计需求。
- 商品型号
- NTMFS10N7D2C-HXY
- 商品编号
- C48972109
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
NTMFS10N7D2C采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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