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BSC0805LSATMA1-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，确保在较高负载条件下稳定运行；导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于高频率开关应用及电源管理系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC0805LSATMA1-HXY
商品编号: C48972106
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146465克(g)

商品参数

FDMS86103L采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。