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BSC070N10LS5ATMA1-HXY
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场景。其最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，支持较高功率的开关与导通需求；导通状态下的电阻RDON仅为6.4mΩ，显著降低导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合应用于高密度电源转换系统及高效能电子设备中。
- 商品型号
- BSC070N10LS5ATMA1-HXY
- 商品编号
- C48972107
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
商品概述
BSC070N10LS5ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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