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SH8MA3TB1-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具有7A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS），适用于中功率电源管理系统。导通电阻（RDON）低至25mΩ，可有效减少导通损耗，提升整体效率。该器件结合N沟道与P沟道结构，具备良好的开关特性和稳定性，适合用于电源适配器、充电管理模块、DC-DC转换器及各类便携式电子设备中的功率控制应用。
- 商品型号
- SH8MA3TB1-HXY
- 商品编号
- C48972102
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.349nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
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