温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SH8MA3TB1-HXY

双N+P沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具有7A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS），适用于中功率电源管理系统。导通电阻（RDON）低至25mΩ，可有效减少导通损耗，提升整体效率。该器件结合N沟道与P沟道结构，具备良好的开关特性和稳定性，适合用于电源适配器、充电管理模块、DC-DC转换器及各类便携式电子设备中的功率控制应用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SH8MA3TB1-HXY
商品编号: C48972102
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.129克(g)

商品参数

IRF7389TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。