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ZXMC3A16DN8QTA-HXY

双N+P沟道增强型MOSFET

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描述: 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源转换与管理应用。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。采用N沟道与P沟道组合结构，兼顾开关速度与稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块以及各类便携式电子产品中的功率控制电路。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ZXMC3A16DN8QTA-HXY
商品编号: C48972103
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.129克(g)

商品参数

IRF7389PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。