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RJK5009DPP-HXY
硅 N沟道 功率 MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的最大漏极电流（ID），适合中高功率应用场景。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源转换、电机控制、智能家电及高性能电子设备中的开关电路设计。其参数特性支持高频工作，有利于减小外围元件体积，提高整体设计灵活性。
- 商品型号
- RJK5009DPP-HXY
- 商品编号
- C48972094
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.819192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@0to10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V
- 漏极电流（ID） = -3A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 85 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 100 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低栅极电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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