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FDA20N50F-HXY
N沟道 耐压:500V 电流:25A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为200mΩ。该器件适用于需要高效开关性能的高功率场景，其低导通电阻有助于降低工作损耗，提高系统效率。凭借较高的电流和电压耐受能力，该MOSFET可广泛用于电源转换、电机控制及高频率电路设计等领域，为电路提供稳定可靠的导通与截止控制。
- 商品型号
- FDA20N50F-HXY
- 商品编号
- C48972098
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.186207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
FQA24N50采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 500 V，漏极电流ID = 28 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 180 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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