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NVATS5A302PLZT4G-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至11mΩ。该器件具备大电流处理能力与较低的导通损耗，适用于多种中低压功率应用场景。凭借其高效的开关特性和良好的热稳定性，该MOSFET可广泛用于电源转换、负载开关、电池管理系统及直流电机控制等电路中，为系统提供快速响应和可靠的功率控制能力。
- 商品型号
- NVATS5A302PLZT4G-HXY
- 商品编号
- C48972100
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394949克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品概述
NVATS5A302PLZT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V，漏极电流（ID） = -80 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 13 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TO-252-2L
- P沟道MOSFET
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