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FDA20N50-HXY

耐压:500V 电流:25A

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID最大可达25A，漏源电压VDSS为500V，导通电阻RDON为200mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和良好的耐压特性，适用于各类中高功率电子系统。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效。该MOSFET可应用于电源管理、开关电路、电机驱动及高频变换器等场景，提供稳定可靠的电气控制性能，满足多样化电路设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDA20N50-HXY
商品编号: C48972099
商品封装: TO-3P
包装方式: 管装
商品毛重: 7.13克(g)

商品参数

RFP50N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。