温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
R5016FNX-HXY
硅 N沟道 功率 MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电子系统。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合应用于电源管理、电机驱动、智能家电以及高性能电子设备中的开关控制电路。其高频响应能力也使其在紧凑型电源设计中表现出色，有助于减小电路体积并提升系统稳定性。
- 商品型号
- R5016FNX-HXY
- 商品编号
- C48972095
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.801克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
相似推荐
其他推荐
- FDA24N50F-HXY
- FQA24N50-HXY
- FDA20N50F-HXY
- FDA20N50-HXY
- NVATS5A302PLZT4G-HXY
- IRF7389TRPBF-HXY
- SH8MA3TB1-HXY
- ZXMC3A16DN8QTA-HXY
- IRF7389PBF-HXY
- AUIRF7319QTR-HXY
- BSC0805LSATMA1-HXY
- BSC070N10LS5ATMA1-HXY
- FDMS86182-HXY
- NTMFS10N7D2C-HXY
- FDMS86103L-HXY
- DMT10H009SPS-13-HXY
- SIR882BDP-T1-RE3-HXY
- SIR106ADP-T1-RE3-HXY
- DMT10H010LPS-13-HXY
- DMT10H009LPS-13-HXY
- IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY