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FDA24N50F-HXY

N沟道耐压:500V 电流:28A

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID）能力，适用于较高电压环境下的功率控制。导通时典型导通电阻（RDON）为150毫欧，能够在保证性能的同时有效控制功耗。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源适配器、开关电源、照明驱动以及各类中高压电子系统中的高频开关应用场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDA24N50F-HXY
商品编号: C48972096
商品封装: TO-3P
包装方式: 管装
商品毛重: 7.193103克(g)

商品参数

SQD50034E_GE3采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。