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FDA24N50F-HXY
N沟道 耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID）能力，适用于较高电压环境下的功率控制。导通时典型导通电阻（RDON）为150毫欧，能够在保证性能的同时有效控制功耗。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源适配器、开关电源、照明驱动以及各类中高压电子系统中的高频开关应用场合。
- 商品型号
- FDA24N50F-HXY
- 商品编号
- C48972096
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.193103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
FDA24N50F采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 500 V,ID = 28 A
- RDS(ON) < 180 mΩ(VGS = 10 V时)
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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