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FQA24N50-HXY
耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），适用于中高压功率控制场景。其导通电阻（RDON）典型值为150毫欧，在高频开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统能效。器件采用标准封装形式，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源转换设备、照明控制系统、电机驱动模块以及其他需要高效功率管理的电子装置。
- 商品型号
- FQA24N50-HXY
- 商品编号
- C48972097
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
FQA24N50采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 500 V,漏极电流ID = 28 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 180 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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