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FQA24N50-HXY

耐压:500V 电流:28A

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），适用于中高压功率控制场景。其导通电阻（RDON）典型值为150毫欧，在高频开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统能效。器件采用标准封装形式，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源转换设备、照明控制系统、电机驱动模块以及其他需要高效功率管理的电子装置。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FQA24N50-HXY
商品编号: C48972097
商品封装: TO-3P
包装方式: 管装
商品毛重: 7.1克(g)

商品参数

DMTH6004SK3 - 13采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。