FQA24N50-HXY

耐压:500V 电流:28A

描述

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），适用于中高压功率控制场景。其导通电阻（RDON）典型值为150毫欧，在高频开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统能效。器件采用标准封装形式，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源转换设备、照明控制系统、电机驱动模块以及其他需要高效功率管理的电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FQA24N50-HXY

商品编号

C48972097

商品封装

TO-3P​

包装方式

管装

商品毛重

7.1克(g)