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SCT3080KLGC11-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备良好的高压与高电流工作特性，适用于多种功率控制场景。其主要参数包括：漏极电流ID为36A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON为80mΩ，可在较高电压条件下实现稳定的开关操作与较低的能量损耗。器件设计注重可靠性和耐久性，适合应用于电源转换装置、储能系统、电子负载管理及各类高效能电路中，满足对高压功率器件的多样化需求。
- 商品型号
- SCT3080KLGC11-HXY
- 商品编号
- C48972090
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.276667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |