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SCT2080KEGC11-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至80mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。该器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适合用于直流变换器、逆变器及各类高频电力电子设备中，满足对性能与安全性要求较高的应用场景。
- 商品型号
- SCT2080KEGC11-HXY
- 商品编号
- C48972091
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.346667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |