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SCT2080KEC-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V漏源耐压（VDSS）与36A额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为80mΩ，适用于高电压与大功率场景下的开关应用。器件基于高性能硅工艺设计，具备良好的导热性与工作稳定性，可广泛用于电源转换装置、电机驱动电路、储能系统及高频逆变设备中。其参数特性支持高效能、小型化电力电子方案的设计需求，适合对电气性能和长期运行可靠性有较高要求的各类应用环境。
- 商品型号
- SCT2080KEC-HXY
- 商品编号
- C48972092
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.323333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |