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SCT3080KRC14-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高耐压与低导通电阻特性，适用于多种高效能电力电子应用。其主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，导通电阻RDON为75mΩ，能够在高压环境下实现较低的功率损耗。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于开关电源、逆变器、高精度电机控制电路以及各类中高功率转换系统中，适用于对电气性能和可靠性有较高要求的设计场景。
- 商品型号
- SCT3080KRC14-HXY
- 商品编号
- C48972080
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
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