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SIHG44N65EF-GE3-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）、29A最大连续漏极电流（ID）及60mΩ低导通电阻（RDON），支持高功率密度与高效率电路设计。器件具备优异的开关性能和热稳定性，适用于电源适配器、储能系统、智能家电以及电机驱动等各类高性能电子设备中的功率控制应用，可满足高频、高压工作环境的技术需求。
- 商品型号
- SIHG44N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C48972085
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |
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